近日，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。

6英寸非故意掺杂（上）与导电型（下）氧化镓单晶

6英寸导电型氧化镓衬底

铸造法是由杨德仁院士团队自主研发，用于生长氧化镓单晶的新型熔体法技术，具有以下显著优势：第一，铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。未来，团队将逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展。

此前，科创中心先进半导体研究院就成功制备了直径2英寸的氧化镓晶圆，为实现氧化镓批量生产打下坚实基础。2023年5月，与杭州镓仁半导体有限公司合作成功制备了4英寸氧化镓晶圆。今年2月，6英寸氧化镓单晶已实现小批量生产，杭州镓仁半导体有限公司也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。接下来，团队将持续开展自主创新工作，逐步突破大尺寸、高质量的氧化镓衬底难题，推动产业高质量发展。

本项目获得了浙江省2023年“领雁”研发攻关计划资助以及杭州市萧山区“5213”项目(卓越类) 扶持。